台积电也曾开启了N2 2nm工艺的大限制量产，不外至极低调，莫得任何官宣，但和此前制定的过程磋磨全齐相符。

台积电官网的2nm工艺专科题页面有这样一句：“台积电2nm时代已按磋磨于2025年第四季度参加量产。”

来岁，台积电N2的产能将快速爬坡，理睬各家居品，包括NVIDIA、AMD、苹果、高通、联发科齐会用它。

N2是台积电首个期骗GAA(环绕栅极纳米片晶体管)的制程节点，有些访佛Intel RibbonFET。

该时代通过栅极全齐包裹由水平堆叠纳米片组成的导电沟谈，优化了静电散伙成果，缩短了走电率，从而在不罢休性能与能效的前提下进一步减弱晶体管尺寸，杀青密度提高。

N2工艺还在供电部分集成了超高性能金属-绝缘体-金属电容器(SHPMIM)，电容密度比之前的高性能金属-绝缘体-金属电容器(SHDMIM)提高朝上2倍，同期将薄层电阻(Rs)、通孔电阻(Rc)缩短了50％，从而提高供电自由性、芯片性能、概括能效。

按照台积电给出的说法，N2比较N3E同等功耗下性能提高10-15％，同等性能下功耗缩短20-25％，晶体管密度则提高15％。

N2工艺后续还有两个升级版块，N2P瞻望2026年下半年量产，性能再提高5-10％，功耗再缩短5-10％。

N2X则将在2027年量产，对比N2P陆续提高10％的性能，功耗也进一步缩短。

再往后即是A16、A14，其中前者业界首发超等供电电路(SPR)，量产使命也将于2026年下半年按期鼓舞。